Samsung poinformował o stworzeniu pamięć flash typu NAND o pojemności 64 Gbit, wykonanej w technologii 30 nanometrów. Dzięki niej będzie można produkować urządzenia takie jak odtwarzacze mp3, telefony itp. o większej pojemności.
Dzięki nowej technologii w najbliższej przyszłości możliwe będzie wyprodukowanie pamięci o pojemności nawet 128GB (16 układów po 64 Gbit). Dla porównania obecnie największe pamięci typu flash, stosowane są w przenośnych odtwarzaczach multimedialnych (np. Creative ZEN i Apple iPod) i nie przekracza ona 16GB. Samsung zapowiedział masową produkcję urządzeń wyposażonych, w pamięć flash 64 GB i 128 GB w 2009 roku.
Generalnie oczekuje się, że pamięci typu flash z czasem wyprą z rynku twarde dyski. Przy zapewnieniu podobnej pojemności, będą znacznie mniejsze, pozbawione ruchomych części, a zatem znacznie mniej narażone na mechaniczne uszkodzenia. Taki scenariusz jest jednak możliwy dopiero po 2010 roku, gdyż już teraz dyski twarde przekroczyły granicę 0.5 terabajta pojemności.
