Karty pamięci w technologii 20 nm od Samsunga
Samsung poinformował, że rozpoczyna produkcję nośników pamięci w technologii 20 nm. W momencie premiery będą to pierwsze na rynku nośniki wykonane w tej technologii.
Źródło zdjęć: © SAmsung
Nowe pamięci NAND wykonane w technologii 20 nm charakteryzować się będą większą pojemnością i mniejszą wielkością samej kości pamięci, co z kolei ma się przełożyć na jej wydajność.
Prędkość zapisu na takich kartach ma być do 30% szybsza, niż w przypadku dotychczasowej technologii 30 nm. Oznacza to teoretyczną prędkość odczytu na poziomie 20 MB/s oraz zapisu - 10 MB/s.
Pierwsze próbki testowe nowych kart trafiły już do kluczowych klientów Samsunga. Na rynku mają być one dostępne jeszcze w tym roku w wersji od 4 do 64 GB.
