SanDisk i Toshiba stworzą razem dysk flashowy przyszłości

Toshiba buduje supernowoczesną fabrykę w Chinach, do spółki z Toshibą. Jednak znacznie bardziej inteesujące jest to, co zamierzają w niej produkować.

Japończycy chwalą się, że będzie ona całkowicie odporna na wstrząsy powodowane trzęsieniem ziemi, a równocześnie niezwykle energooszczędna, między innymi dzięki zastosowaniu oświetlenia typu LED. Emitować ma też znacznie mniej dwutlenku węgla do atmosfery. Oblicza się, że inwestycja warta jest 4,84 miliarda dolarów, a produkcja ma rozpocząć się w 2016 roku.

Nas najbardziej interesuje jednak oczywiście to, co będzie w tej fabryce produkowane. Chodzi o pamięci flash NAND nowego typu, określane w opozycji do zwykłych pamięci (2D NAND) jako układy 3D NAND. Wcześniej o tej technologii informował już Samsung, choć pod inną nazwą V-NAND (od Vertical NAND). Chodzi jednak o to samo ułożenie kości pamięci w postaci trójwymiarowej struktury, w której ładunki elektryczne "chwytane są" nie przez tzw. pływające bramki, lecz warstwę izolatora z azotku krzemu. Takich warstw może być w jednym układzie kilkadziesiąt, dzięki czemu oparte na nich nośniki danych mogą być szybsze, pojemniejsze i bardziej wytrzymałe.

Nie wiemy jeszcze, jak będą przedstawiać się parametry techniczne przyszłych dysków SanDiska i Toshiby, ale już w tym momencie możemy opierać się na tym, co deklaruje Samsung. W jego przypadku dyski V-NAND mają być dwa razy wydajniejsze i dwa razy oszczędniejsze nawet od nowoczesnych pamięci 2D NAND produkowanych w procesie 10-nanometrowym.

Wygląda na to, że w 2016 roku możemy się spodziewać niezłej rewolucji na rynku dysków SSD. Choć z drugiej strony warto zauważyć, że Samsung rozpoczął już produkcję dysków V-NAND. Obecnie pracuje nad zminiaturyzowaniem powstających w tym procesie układów, w celu zwiększenia ich pojemności.

Polecamy w wydaniu internetowym chip.pl: Gra o Tron pisana jest pod... DOS-em