Intel zapowiada uruchomienie w tym roku produkcji pamięci PRAM
Justin Rattner, Chief Technology Officer w Intelu po raz pierwszy publicznie zademonstrował nowej generacji układy pamięci PRAM ( Phase-change RAM ). PRAM są to pamięci nieulotne, które maja w przyszłości zastąpić układy Flash, a być może także DRAM. Należy zauważyć, że technologia ta jest rozwijana nie tylko przez Intela, ale również innych producentów pamięci półprzewodnikowych.
PRAM mają wyższą szybkość zapis/odczytu danych niż pamięci Flash, ale przede wszystkim wyższą trwałość. Choć na razie "nie jest jeszcze jasne czy w pamięciach PRAM wystąpią jakieś mechanizmy powodujące zużycie materiału. W zasadzie procesy modyfikacji stanu nie mają destrukcyjnego wpływu na materiał" - powiedział Justin Rattner.
PRAM wykorzystują specjalny materiał chalcogenide glass ( szkło z domieszkami pierwiastków z grupy tlenowców ), którego fizyczna struktura może być zmieniana między postacią amorficzną, a krystaliczną przy wykorzystaniu podgrzewania za pomocą prądu elektrycznego. Ponieważ stany te istotnie różnią się oporem elektrycznym, jego pomiar może być wykorzystany do odczytu zapisanej w pamięciach informacji.
Justin Rattner zapowiada że Intel najprawdopodobniej już w II połowie tego roku uruchomi produkcję układów PRAM.
