Co szykuje Intel? Prawdziwa rewolucja na 32 nanometrach?

Intel po raz pierwszy opracował w pełni funkcjonalną technologię wytwarzania układów SoC, która uzupełnia technologię specyficzną dla procesorów —. obie używają drugiej generacji tranzystorów z metalową bramką i izolatorem o wysokiej stałej dielektrycznej (High-K and Metal Gate), aby osiągnąć wysoką wydajność i najlepszą charakterystykę zasilania. Firma podała nowe informacje o obu wersjach procesu 32-nanometrowego, a także o osiągniętym właśnie przełomie - 45-nanometrowej technologii high-k z metalową bramką. Kwestie te będą omawiane podczas różnych sesji na konferencji Intel Developer Forum w przyszłym tygodniu i w referatach na konferencji International Electron Devices Meeting w grudniu.

Intelowski, 32-nanometrowy proces produkcyjny został zatwierdzony, a wafle z procesorami Westmere są obecnie przygotowywane do planowanego rozpoczęcia produkcji w 4. kwartale.

Druga generacja 32-nanometrowych tranzystorów high-k z metalową bramką cechuje się najwyższą wydajnością (mierzoną prądem sterowania) spośród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej Tranzystory NMOS są wydajniejsze o 19 procent w porównaniu z odpowiednikami 45-nanometrowymi, przy jednoczesnym wzroście wydajności o 29%. Cechują się one także najwyższą zgłoszoną gęstością spośród wszystkich tranzystorów wytwarzanych w technologii 32- lub 28-nanometrowej (długość bramki to 112,5 nm). Długość bramki wskazuje, jak gęsto można upakować tranzystory na danym obszarze. Wyższa gęstość oznacza więcej tranzystorów na danej powierzchni, a zatem większą funkcjonalność i wyższą wydajność.