Samsung Electronics ogłosił, że wykonywane w procesie technologicznym 30nm kości pamięci OneNand o pojemności 8Gb są już dostępne. Najnowsze układy OneNand pracujące w oparciu o technologię SLC Nand flash są odpowiedzią na rosnące zapotrzebowanie na pamięci o większej gęstości dla smartfonów.
Samsung Electronics ogłosił, że wykonywane w procesie technologicznym 30nm kości pamięci OneNand o pojemności 8Gb są już dostępne. Najnowsze układy OneNand pracujące w oparciu o technologię SLC Nand flash są odpowiedzią na rosnące zapotrzebowanie na pamięci o większej gęstości dla smartfonów.
Obecny na rynku trend związany jest z popularnością różnorodnych aplikacji mobilnych oraz dostępnością dużej liczby programów multimedialnych. Wysokiej gęstości pamięć OneNand jest obecnie w fazie testów i trafi do masowej produkcji już pod koniec maja.
8-bitowy układ OneNand pozwala na odczytywanie danych z prędkością 7. megabajtów na sekundę (MB/s), czyli ponad 4 razy szybciej w porównaniu do tradycyjnego układu NAND, osiągającego 17 MB/s. Dodatkowo, zastosowanie zaawansowanego procesu technologicznego 30nm pozwoliło firmie Samsung zwiększyć wydajność o 40% w stosunku do produkcji w technologii 40 nm.
Układ OneNand może być używany jako pamięć buforowa nie tylko do zapisu danych, dzięki szybszej niż w przypadku Nand prędkości zapisu, ale również jako bufor do szybkich, wydajnych operacji odczytu danych za sprawą interfejsu NOR flash.
