IBM stworzył pamięć 100 razy szybszą niż Flash
IBM opracowało nowy typ pamięci masowej, która ma być nawet 100-krotnie szybsza od obecnie najszybszej pamięci flash
Firma IBM niedługo świętowała swoje 10. lecie, bowiem dwa tygodnie po uroczystym obchodzeniu swoich urodzin, inżynierowie z Big Blue przedstawiają swoje kolejne odkrycie, mające zrewolucjonizować rynek pamięci masowych. Nowy typ nieulotnej pamięci PRAM (Phase Change RAM), opartej na nośniku krystalicznym, ma nawet 100 razy szybciej zapisywać i odczytywać dane od obecnych pamięci flash, a ponadto ma być znacznie bardziej wytrzymała od pamięci flash - jej żywotność szacowana jest na miliony, a nie tysiące cykli odczytu-zapisu. Co więcej, nowa "momentalna" pamięć ma być na tyle tania, że będzie można ją wykorzystać niemal wszędzie - od serwerów, przez notebooki, aż po tablety i smartfony.
Rewolucję tę, IBM zaplanowało na 201. rok. Wtedy nowa pamięć ma rozpowszechnić się na rynku konsumenckim.
Polecamy w wydaniu internetowym chip.pl: "Niemożliwe! Duke Nukem wreszcie gotowy?"
