IBM stworzył pamięć 100 razy szybszą niż Flash
IBM opracowało nowy typ pamięci masowej, która ma być nawet 100-krotnie szybsza od obecnie najszybszej pamięci flash
04.07.2011 | aktual.: 04.07.2011 11:07
Zalogowani mogą więcej
Możesz zapisać ten artykuł na później. Znajdziesz go potem na swoim koncie użytkownika
Firma IBM niedługo świętowała swoje 10. lecie, bowiem dwa tygodnie po uroczystym obchodzeniu swoich urodzin, inżynierowie z Big Blue przedstawiają swoje kolejne odkrycie, mające zrewolucjonizować rynek pamięci masowych. Nowy typ nieulotnej pamięci PRAM (Phase Change RAM), opartej na nośniku krystalicznym, ma nawet 100 razy szybciej zapisywać i odczytywać dane od obecnych pamięci flash, a ponadto ma być znacznie bardziej wytrzymała od pamięci flash - jej żywotność szacowana jest na miliony, a nie tysiące cykli odczytu-zapisu. Co więcej, nowa "momentalna" pamięć ma być na tyle tania, że będzie można ją wykorzystać niemal wszędzie - od serwerów, przez notebooki, aż po tablety i smartfony.
Rewolucję tę, IBM zaplanowało na 201. rok. Wtedy nowa pamięć ma rozpowszechnić się na rynku konsumenckim.
Polecamy w wydaniu internetowym chip.pl: "Niemożliwe! Duke Nukem wreszcie gotowy?"
