Tranzystory 3D od Intela - procesory będą jeszcze szybsze

Tranzystory 3D od Intela - procesory będą jeszcze szybsze

05.05.2011 12:23

Zalogowani mogą więcej

Możesz zapisać ten artykuł na później. Znajdziesz go potem na swoim koncie użytkownika

Intel ogłosił przełom w ewolucji tranzystora, mikroskopijnego elementu, który jest budulcem nowoczesnych urządzeń elektronicznych. Po raz pierwszy od czasu wynalezienia krzemowego tranzystora 50 lat temu, tranzystory korzystające z trójwymiarowej struktury będą podstawowym budulcem produktów wprowadzonych do masowej produkcji. Oznacza to, że procesory będą znacznie bardziej wydajne i bardziej energooszczędne.

Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate będą podstawą do produkcji w 2. nanometrowym procesie produkcyjnym procesorów o nazwie kodowej „Ivy Bridge”.

Trójwymiarowe tranzystory Tri-Gate mają być według Intela znaczącym krokiem i odejściem od stosowanej powszechnie technologii tranzystorów dwuwymiarowych, z których korzysta się do produkcji procesorów zasilających nie tylko komputery ale także urządzenia elektroniki konsumenckiej i temu podobne.

Obraz
© (fot. Intel)

Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate Intela pozwolą procesorom na pracę przy niższym napięciu i ograniczeniu strat energetycznych. 22nm tranzystory 3-D Tri-Gate oferują do 37. więcej wydajności przy niskim napięciu w porównaniu z 32nm dwu-wymiarowymi jednostkami. Nowe tranzystory, przy zachowaniu tej samej wydajności, konsumują o ponad 50% mniej energii, niż poprzednia 32nm generacja.

Tranzystory 3-D Tri-Gate to praktycznie “wynalezienie”. tranzystora od nowa. Stosowane dziś, tradycyjne „płaskie” dwuwymiarowe “bramki” zostają zastąpione przez niezwykle cienkie, trójwymiarowe, pionowe „żebro” (kanał tranzystora którym poruszają się elektrony) wyrastające z krzemowego podłoża. Kontrola przepływającej energii ma miejsce teraz z trzech stron “zebra” – dwóch po bokach i jednej z góry – w przeciwieństwie do tylko jednostronnej kontroli od góry w tranzystorach dwuwymiarowych poprzedniej generacji. Dodatkowa kontrola pozwala na zwiększenie przepływu energii gdy tranzystor jest włączony (dla większej wydajności) i zmniejszenie niekontrolowanego upływu energii praktycznie do zera, gdy jednostka jest nieaktywna (dla większej energooszczędności).

Ponieważ „żebra” transmitujące energię mają orientację pionową, a nie poziomą, tranzystory moga być umieszczane bliżej siebie – ograniczając przestrzeń potrzebną do budowy procesora. W kolejnych generacjach projektanci będą mieli możliwość zwiększać wysokość “żeber” aby uzyskać jeszcze większą wydajność przy zmniejszonym zapotrzebowaniu na energię.

Oceń jakość naszego artykułuTwoja opinia pozwala nam tworzyć lepsze treści.
Wybrane dla Ciebie
Komentarze (49)