Krótko: 40 nm kości DDR2 Samsunga z certyfikatem Intela

Krótko: 40 nm kości DDR2 Samsunga z certyfikatem Intela
05.02.2009 12:00
Krótko: 40 nm kości DDR2 Samsunga z certyfikatem Intela
Źródło zdjęć: © Transcend

Południowokoreański koncern Samsung poinformował o otrzymaniu certyfikatu Intela dla nowych pamięci DDR2, wykonywanych w procesie technologicznym 40 nm.

Nowe układy scalone Samsunga mają pojemność 1 Gb i umożliwiają transfer danych z prędkością 80. Mb/s. Chipy będą wykorzystywane w produkcji modułów pamięci DDR2 dla komputerów przenośnych.
Układy otrzymały już odpowiedni certyfikat od firmy Intel i będą dedykowane chipsetom mobilnym z rodziny GM45. Według informacji podanych przez Samsunga, proces technologiczny w rozmiarze 40 nm pozwoli zwiększyć wydajność produkcji układów o 60% oraz zmniejszyć zapotrzebowanie pamięci na energię elektryczną aż o 30% ( w porównaniu do modułów wytwarzanych w procesie technologicznym 50 nm ).
więcej w serwisie »

Oceń jakość naszego artykułuTwoja opinia pozwala nam tworzyć lepsze treści.
Udostępnij:
Wybrane dla Ciebie
Komentarze (0)