Masowa produkcja pamięci DDR3 40 nm firmy Hynix rozpocznie się w trzecim kwartale bieżącego roku. Nowe układy mają być wydajniejsze o 50% od pamięci wykonanych w procesie technologicznym 50 nm.
Firma Hynix poinformowała, że produkcja nowych 1 Gb pamięci DDR3. wykonanych w procesie technologicznym 40nm, rozpocznie się w trzecim kwartale bieżącego roku. Modele oznaczone H5TQ1G83CFR będą charakteryzować się maksymalną szybkością 2,133 Mb na sekundę.
W stosunku do układów wykonanych w 50-nanometrowym procesie produkcyjnym, nowe pamięci mają charakteryzować się wydajnością zwiększoną o 50%, oraz mniejszym zużyciem prądu. Nowe pamięci Hynix mają być zgodne ze specyfikacją pamięci DDR3 Intela i będą sprawdzone celem uzyskania stosownego certyfikatu.
