Wprowadzając na rynek swoje nowe pamięci DRAM DDR3 o pojemności 4 GB, firma Samsung przekroczyła kolejną barierę w redukcji rozmiarów kości DRAM. Komórki pamięci produkowane są w technologii 2. nm, przy wykorzystaniu powszechnie dostępnej litografii immersyjnej z użyciem laserów ArF.
Miniaturyzacja komórek pamięci DRAM jest trudniejsza niż w przypadku pamięci NAND Flash. Pierwsze z nich składają się z połączonych ze sobą kondensatora i tranzystora, natomiast w przypadku NAND Flash komórka zawiera jedynie tranzystor. Aby osiągnąć obecny poziom miniaturyzacji, Samsung wprowadził zmodyfikowane techniki podwójnego naświetlania i osadzania warstw atomowych. Nowa technologia będzie także kluczowa przy produkcji przyszłej generacji pamięci DRAM w procesie klasy 1. nm.
Zwiększenie wydajności zapewnia do tego wyprodukowanie ultra cienkich warstw dielektrycznych jednorodnych komórek kondensatorowych. Nowe moduły pamięci oparte na nowych kościach 4 GB mają zużywać do 2. procent mniej energii, niż odpowiadające im objętością moduły oparte na starszej technologii 25 nm.
Polecamy w wydaniu internetowym chip.pl: "Znamy specyfikację iPhone’a 6"
