Przedstawiciele firm zapowiadają iż zamierzają - bazując na wcześniejszych sukcesach i doświadczeniach w projektowaniu 90nm, 60nm i 45nm technologii - stworzyć 32-nanometrowe układy do roku 2010. Mają one charakteryzować się zarówno wysoką wydajnością, jak i niskim zużyciem prądu.
Kooperacja ma przynieść nowe rozwiązania zarówno w zastosowaniu materiałów, jak i struktury urządzeń. Opracowanie 32-nanometrowych półprzewodników CMOS ( Complementary Metal Oxide Semiconductor ) jest kolejnym logicznym krokiem po wprowadzeniu na rynek układów 45nm. Przedstawiciele zaangażowanych firm poinformowali, iż trwają już prace nad zestawami PDK ( Process Design Kits ), mającymi wspierać nową technologię.
Więcej informacji na ten temat znaleźć można w komunikacie prasowym IBM-a - http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/21592.wss.
