Telefon HTC pod 10 000 Woltów
Obudowa nowego HTC One S zaprojektowana jest z jednego kawałka metalu, który, jak twierdzi tajwańska firma, wykonywany jest przy pomocy technologii zwanej microarc oxidation (utlenianie plazmowo-elektrolityczne). Czym jest cały proces? Nie jest za bardzo skomplikowany ale wygląda kosmicznie.
Obudowa nowego HTC One S zaprojektowana jest z jednego kawałka metalu, który, jak twierdzi tajwańska firma, wykonywany jest przy pomocy technologii zwanej microarc oxidation (utlenianie plazmowo-elektrolityczne). Czym jest cały proces? Nie jest za bardzo skomplikowany, ale wygląda kosmicznie.
Zakłada on umieszczenie obudowy telefonu w różnicy potencjałów sięgającej nawet 1. 000 Woltów. Dla poddanego temu procesowi materiału jest to jak uderzenie pioruna, który sprawia, że materiał zmienia swoje właściwości. Pomijając już fakt, że aluminium, które w tym wypadku poddawane jest temu procesowi, staje się pięć razy bardziej wytrzymałe, jego powierzchnia staje się czarna, matowa i gładka.
Czy obudowa telefonu musi być wykonywana w technologii, którą wykorzystuje się przy budowie satelitów? Zdecydowanie nie. Ale HTC może się tym pochwalić.
